我國團隊研究出新型態(tài)光敏感性半導體存儲器
2018-01-03 15:07:14
近日有研究團隊根據原子級薄度的半導體研發(fā)設計出一種存儲器，不僅具有良好的性能，而且能夠在完全不需要電力輔佐的情況下，用光線就能清除保存的資料，團隊認為這種新型的存儲器在系統(tǒng)整合型面板（System on Panel）上，擁有非常大的應用潛力。
據報導，復旦大學和中國科學院微電子研究所的Long-Fei He和相關研究人員最近在新的應用物理學快報（AIP）期刊上發(fā)表了一個關于新型態(tài)存儲器的論文。
因為大多數現(xiàn)有的存儲器技術都太過笨重，無法整合應用在顯示面板上，研究人員一直都在研究全新的設計和材料，嘗試制造出同樣具有良好性能、卻能超薄的儲存設備。
在這項新的研究中，研究人員通過二維過度金屬材料“二硫化鉬”（MoS2）的應用，研發(fā)出一種原子級薄度的半導體，它的電導率（conductivity）可以被精細的調整，進而形成具有高開關電流比的存儲器基礎元件。
除此之外，團隊也在反復測試中證明，這類型存儲器具有運行速度快、大容量的存儲器空間和卓越的存儲性，研究人員估計，即使處在85°C（185°F）的高溫下10年，儲存空間仍可以保存原有的60%左右，對于實際應用來說完全足夠。
過去已有研究證實二硫化鉬具有光敏性（photoresponsive），這意味著一些性質可以通過運用光來控制，為了了解實際應用情況，團隊也實際進行了相關實驗，結果發(fā)現(xiàn)，當光線照射到已編程的存儲設備上時，儲存資料被完全消除，但同時運用電壓抹除資訊的方式也仍然可以使用。
負責人表示，團隊目前正在研究透過編程可控的光脈沖波長和時間，來大規(guī)模整合這種儲存元件。研究人員相信未來這種儲存設備，將會在系統(tǒng)整合型面板的應用上扮演重要角色。
本文關鍵詞：
半導體存儲器
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