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非易失性存儲器存儲器MRAM提供替代方案

2024-10-21 11:11:57

    閃存目前最流行的非易失性存儲器NVM,但一些應(yīng)用程序開始采用其他類型的嵌入式NVM技術(shù),因為嵌入式閃存無法超越28nm,也因為其成本、功耗和性能優(yōu)勢。
 
    非易失性存儲器NVM包括ReRAM、PCM、MRAM和FRAM在內(nèi)的存儲器提供了替代方案。每種技術(shù)在成本、復(fù)雜性、功率和性能方面都有各自的優(yōu)勢和挑戰(zhàn)。MRAM存儲芯片供應(yīng)商英尚微簡單介紹關(guān)于MRAM。
 
    Everspin MRAM產(chǎn)品采用一個晶體管、一個磁性隧道結(jié)(MTJ)存儲單元作為存儲元件。MTJ由固定磁性層、薄電介質(zhì)隧道勢壘和自由磁性層組成。當(dāng)向MTJ施加偏壓時,被磁性層自旋極化的電子通過稱為隧道效應(yīng)的過程穿過電介質(zhì)勢壘。
 
    MRAM是一種利用電子自旋的磁性來提供非易失性而不會磨損的存儲器。MRAM將信息存儲在與硅電路集成的磁性材料中,在單個無限耐用的設(shè)備中提供SRAM的速度和閃存的非易失性。
 
    MRAM的數(shù)據(jù)雖然是以磁性狀態(tài)進(jìn)行存儲,但其讀取數(shù)據(jù)的方式是靠測量電阻來感知,對其磁性狀態(tài)不會造成干擾。MRAM作為新型非揮發(fā)性存儲器,在存取速度、次數(shù)和功耗上都較優(yōu)越,但要投入市場應(yīng)用,還需解決以下難題:寫或擦除數(shù)據(jù)時的磁性干擾問題;復(fù)雜的磁性材料薄膜制備工藝,且其薄膜厚度不容易控制,影響器件的均勻性;與傳統(tǒng)CMOS工藝的兼容方面,有待進(jìn)一步地優(yōu)化。

    我司英尚微電子提供代理MRAM、STT-MRAM、XSPI MRAM等存儲芯片,支持樣品和技術(shù)相關(guān)支持。提供的MRAM產(chǎn)品部署在數(shù)據(jù)中心、云存儲、能源、工業(yè)、汽車和運輸市場等。
 

本文關(guān)鍵詞:MRAM

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深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商,十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。

英尚微電子中國區(qū)指定的授權(quán)代理:VTI、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC; 著名半導(dǎo)體品牌的專業(yè)分銷商  如:RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。 
 
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