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鐵電存儲器FRAM

2023-10-07 09:41:58

    鐵電存儲器是在1952年發明的。貝爾實驗室隨后于1955年構建了一個集成的256位FRAM陣列,作為一個沒有有源半導體元件的單片器件,三年后,杰克·基爾比(JackKilby)拼湊起來并在德州儀器(TI)發明了第一個集成電路。20世紀80年代末,科羅拉多斯普林斯的一家名為Ramtron的公司完成了FRAM的早期商業化工作。
 
    FRAM的銷量似乎比所有其他新興內存類型的銷量總和還多。富士通在其地鐵票價卡RFID芯片中使用了FRAM,迄今為止已售出超過40億顆此類芯片。
 
    FRAM利用某些晶格的獨特物理特性。在這些鐵電材料中,原子可以占據晶格內兩個穩定位置之一。電場將晶格內的移動原子移動到兩個穩定位置之一,具體取決于電場的極性和一些物理屬性(可能是電容或電阻),具體取決于被捕獲原子的位置。
 
    任何類型的40億個芯片都是很多芯片,即使它被用作地鐵票價代幣,那么為什么FRAM經過這么長時間、在運送了所有這些數十億個芯片之后仍然不為人知呢?半導體晶圓廠經理不太喜歡鐵電材料,因為它們含有元素周期表元素,例如鉛或鉍,很容易污染晶圓廠。因此,FRAM作為非易失性嵌入式片上存儲器的用途有限。相關報告也指出,氧化鉿和氧化鋯也可以通過配制來表現出鐵電特性,而且這些材料已經因其他原因在晶圓廠中使用,因此FRAM的未來故事很可能會繼續下去。


本文關鍵詞:鐵電存儲器,FRAM

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