目前，新興的存儲技術旨在集成SRAM的開關速度和DRAM的高密度特性，并具有Flash的非易失特性。新型存儲技術可主要分為相變存儲器(PCM)、磁變存儲器（MRAM）、阻變存儲器（RRAM/ReRAM）以及鐵電存儲器（FRAM/FeRAM）。
 
相變存儲器通過相變材料相態(tài)的變化獲得不同的電阻值，主要適用于大容量的獨立式存儲應用。磁變存儲器通過磁性材料中磁籌的方向變化改變電阻，主要適用于小容量高速低功耗的嵌入式應用。
 
而阻變存儲器則利用阻變材料中導電通道的產生或關閉實現電阻變化，目前主要用于物理不可克隆芯片（PUF），并有可能在未來的人工智能、存算一體等領域發(fā)揮作用。此外，近年來，存算一體正逐漸成為解決當前存儲挑戰(zhàn)的熱門趨勢之一。
 
上述新型存儲技術都具備一些共性，比如具有非易失性或持久性的特點，而所有的主流非易失性存儲器均源自于只讀存儲器（ROM）技術；部分技術可通過工藝縮小尺寸，從而降低成本；無需使用閃存所需的塊擦除/頁寫入方法，從而大大降低了寫入耗電需求，同時提高了寫入速度。下表為新型存儲技術關鍵指標對比：
 
新型存儲技術關鍵指標對比

指標	PCM	MRAM	RRAM	FRAM
非易失性	是	是	是	是
工作電壓	較高(>3V)	較低(<1.5V)	較低(<1.5V)	/
多級	是	否	是	是
持久性	良	更佳	更佳	/
兼容性	與CMOS兼容	與CMOS兼容	與CMOS兼容	與CMOS兼容
代表公司	英特爾、美光	Everspin	Crossbar	英飛凌、富士通半導體
商用領域	混合固態(tài)盤、持久內存	嵌入式	/	IC卡、MCU

本文關鍵詞：MRAM,SRAM,FRAM

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