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三星 3D NAND 快閃存儲器新廠上半年投產

2017-04-11 17:05:17

        近日三星電子宣布,設立在首爾南方的新芯片廠施工進度順利,將如期于 2017 上半年投產。
        三星新存儲芯片廠于 2015 年動土,共投入 15.6 萬億韓元(約 144 億美元)建廠,為三星史上最大單一產線投資項目。據三星表示,新廠第一階段施工目前已完成九成。
        新芯片廠主要用于生產高容量 3D 立體 NAND 快閃存儲器。快閃存儲器可取代傳統硬盤,并廣泛應用于智能手機、數碼相機與其他 USB 界面儲存設備。
        市調機構 DRAMeXchange 日前指出,三星穩坐去年第四季 NAND 快閃存儲器龍頭,受惠于供給吃緊、平均報價(ASP)飆升,三星 NAND 快閃存儲器當季報價增加 5%、單位出貨量季增 11-15%,推升營收成長近兩成(19.5%),市占率來到 37.1%。東芝同期間 NAND 存儲器市占率達 18.3%,暫居第二。Western Digital 緊追在后,僅差東芝 0.6 個百分點。

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